5月8日，中国科学院上海微系统与信息手艺研究所（以下简称上海微系统所）的研究员欧欣团队联手瑞士洛桑联邦理工学院托比亚斯 基彭贝格团队，在钽酸锂异质集成晶圆和高机能光子芯片范畴获得冲破性进展，相干功效颁发在《天然》。

铌酸锂有“光学硅”之称，最近几年间遭到了普遍存眷，哈佛年夜学等国外研究机构乃至提出了模仿“硅谷”模式来扶植新一代“铌酸锂谷”的方案。欧欣团队与合作者经由过程研究发现，比拟在铌酸锂，单晶钽酸锂薄膜具有近似的优良电光转换特征，且在双折射、透明窗口规模、抗光折变、频率梳发生等方面更具优势。另外，钽酸锂薄膜可实现低本钱和范围化制造，具有极高的利用价值。

欧欣团队采取基在“全能离子美金”的异质集成手艺，经由过程氢离子注入连系晶圆键合的方式，制备了高质量硅基钽酸锂单晶薄膜异质晶圆。进一步地，与合作团队结合开辟了超低消耗钽酸锂光子器件微纳加工方式，对应器件的光学消耗遍及低在已报导晶圆级工艺下的铌酸锂波导消耗值。

钽酸锂光子芯片揭示出与铌酸锂薄膜相当的电光调制效力，同时研究团队初次在X切型电光平台中成功发生了孤子光学频率梳，连系其电光可调谐性质，有望在激开博体育光雷达、周详丈量等方面实现利用。值得一提的是，今朝研究团队已攻关8英寸晶圆制备手艺，为更年夜范围的国产光电集成芯片和移动终端射频滤波器芯片的成长奠基了焦点材料根本。

钽酸锂异质集成晶圆和高机能光子芯片示意图。图片来历在中国科学院上海微系统与信息手艺研究所

欧欣介绍：“相较在薄膜铌酸锂，薄膜钽酸锂更容易制备，且制备效力更高。同时，钽酸锂薄膜具有更宽的透明窗口、强电光调制、弱双折射、更强的抗光折变特征，这类先天的材料优势极年夜地扩大了钽酸锂平台的光学设计自由度。”

相干论文信息：https://doi.org/10.1038/s41586-024-07369-1

版权声明：凡本网注明“来历：中国科学报、科学网、科学新闻杂志”的所有作品，网站转载，请在正文上方注明来历和作者，且不得对内容作本色性改动；微信公家号、头条号等新媒体平台，转载请联系授权。邮箱：shouquan@stimes.cn。

上一篇:开博-研究揭示冰盖扩张导致亚洲冬季风轨道和变化增强—新闻—科学网 下一篇:开博-法国托卡马克装置创下聚变反应新纪录—新闻—科学网